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| 部品型番: | IPB60R190C6ATMA1 |
|---|---|
| メーカー/ブランド: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 部分的な説明: | MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK |
| 仕様書: |
|
| 環境保護ロゴ: | |
| 支払い方法: | PayPal / Credit Card / T/T |
| 輸送モード: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| 共有する: |
Ship From: Hong Kong
| 数量 | 単価 |
|---|---|
| 1+ | $3.4594 |
| 10+ | $3.1032 |
| 100+ | $2.5427 |
| 500+ | $2.1645 |
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| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 630µA |
| Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 |
| シリーズ | CoolMOS™ C6 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 190mOhm @ 9.5A, 10V |
| 電力消費(最大) | 151W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1400 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20.2A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPB60R190 |
| IPB60R190C6ATMA1詳細PDF [English] | IPB60R190C6ATMA1 PDF - EN.pdf |




INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3
IPB60R190C6 Infineon Technologies
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
IPB60R199CP Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
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